多晶硅超純水設備
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多晶硅超純水設備
硅片是現代半導體行業(yè)不可或缺的基礎材料，而在硅片的生產(chǎn)過(guò)程中會(huì )有許多的污染物質(zhì)干擾產(chǎn)品的最終質(zhì)量，所以半導體器件的生產(chǎn)硅片需要進(jìn)行嚴格的清洗，通過(guò)清洗去除掉表面的污染雜質(zhì)，包括有機物和無(wú)機物等，否則微量元素的污染會(huì )導致半導體器件失效。
多晶硅是由許多硅原子及許多小的晶粒組合而成的硅晶體。由于各個(gè)晶粒的排列方向彼此不同，其中有大量的缺陷。多晶硅一般呈深銀灰色，不透明，具有金屬光澤，性脆，常溫下不活潑。
多晶硅是用金屬硅(工業(yè)硅)經(jīng)化學(xué)反應、提純,再還原得到的高純度材料(也叫還原硅)。目前世界上多晶硅生產(chǎn)的方法主要有改良西門(mén)子法(SiHCl3)、新硅烷法(SiH4)、SiH2Cl2熱分解法、SiCl4法等多晶硅生產(chǎn)工藝。
對于消毒系統和清洗系統而言有四種類(lèi)型：低pH值型、高pH值型、高溫消毒型以及低濃度氧化消毒清洗型。單獨的消毒清洗程序只針對淡水、濃水以及給水管線(xiàn)而言，消毒清洗的循環(huán)過(guò)程可以獨立完成，獨立的循環(huán)程序也可同時(shí)進(jìn)行，從而減少總的使用時(shí)間。由于極水循環(huán)的低清洗流速，大多數情況下清洗過(guò)程必須同時(shí)與濃水循環(huán)清洗和淡水循環(huán)清洗同時(shí)進(jìn)行。清洗水箱及水泵是必備的(CIP系統)?？偣残枰鍡l清洗流水線(xiàn)：兩個(gè)進(jìn)口(淡水進(jìn)口和濃水進(jìn)口)以及三個(gè)出口(淡水出口，給水出口和濃水排放)。
工藝流程：
原水箱→原水提升泵→石英砂過(guò)濾器→活性炭過(guò)濾器→軟水器→精密過(guò)濾器→一級高壓泵→一級反滲透→級間水箱→二級高壓泵→中間水箱→EDI提升泵→微孔過(guò)濾器→EDI系統→EDI水箱→拋光混床→用水點(diǎn)
設備特點(diǎn)：
1.能耗低，水資源利用率高，設備運行成本得到了有效控制。
2.設備全自動(dòng)化微電腦控制，當運行過(guò)程出現故障時(shí)，會(huì )及時(shí)停止，且具有自動(dòng)保護功能。
3.膜組件部分是采用國際進(jìn)口材料，表現出更高的溶質(zhì)分離率和透過(guò)速率。
4.設備整體化程度高，易于擴展，可以增加膜的過(guò)濾數量從而增加單位時(shí)間內的處理量。
5.系統整體無(wú)易損部件，不會(huì )存在大量需要維修的情況，保障設備的長(cháng)期有效運行。
6.結構搭配合理，減少設備使用的占地面積。
7.設備可連續生產(chǎn)，卡扣式安裝方式，維修維護快速便捷。
8.出水水質(zhì)穩定，設備的實(shí)用性設計強，便于日常使用。
9.不需要處理廢酸廢堿，也不需要酸堿再生，極大程度的節約日常運行成本。
執行標準：
GB6682-2000中國國家實(shí)驗室用水GB6682-2000
GB/T 11446.7——1997 電子級水中痕量氯離子、硝酸根離子、磷酸根離子、硫酸根離子的離子色譜測試方法
GB/T 11446.5——1997 電子級水中痕量金屬的原子吸收分光光度測試方法
GB/T 11446.3——1997 電子級水測試方法通則
GB/T 11446.6——1997 電子級水中二氧化硅的分光光度測試方法
GB/T 11446.4——l997 電子級水電阻率的測試方法
GB/T 11446.9——1997 電子級水中微粒的儀器測試方法
GB/T 11446.8——1997 電子級水中總有機碳的測試方法
JBT 7621-1994 電力半導體器件工藝用高純水
ASTM D5127-2007美國電子和半導體水質(zhì)標準
GBT11446.1-2013電子級超純水中國國家標準
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