單晶硅超純水設備
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單晶硅超純水設備
單硅晶體超純水設備主要作用是用于清除表面污染雜質(zhì)，包括有機物和無(wú)機物，這些雜質(zhì)有的是以原子狀態(tài)、離子狀態(tài)、薄膜形式、顆粒形式存在與硅片的表面。有機污染包括光刻膠、有機溶劑殘留物、有機污染包括光刻膠、有機溶劑殘留物、合成蠟和人接觸器件、工具、器皿帶來(lái)的油脂或纖維。無(wú)機污染包括重金屬鉻、銅、鐵、金等，嚴重影響少數載流子壽命和表面電導;堿金屬如鈉等，引起嚴重漏電;顆粒污染源則包括有機膠體纖維、微生物、細菌、塵埃、硅渣等物質(zhì)，這類(lèi)物質(zhì)都會(huì )在生產(chǎn)過(guò)程中造成不同程度的危害，所以現在的半導體器件生產(chǎn)、太陽(yáng)能電池硅片、多晶硅、單晶硅的生產(chǎn)過(guò)程中都需要使用超純水進(jìn)行沖洗，保證整體過(guò)程受到的危害降到最小。
滲源純水企業(yè)生產(chǎn)的單硅晶體超純水設備采用的是國內先進(jìn)的科技，并搭配使用國際進(jìn)口零部件，加上公司獨到的管理經(jīng)驗理念，生產(chǎn)出滿(mǎn)足于單硅晶體行業(yè)應用的高質(zhì)量超純水設備。
工藝流程：
原水箱→原水提升泵→石英砂過(guò)濾器→活性炭過(guò)濾器→軟水器→精密過(guò)濾器→一級高壓泵→一級反滲透→級間水箱→二級高壓泵→中間水箱→EDI提升泵→微孔過(guò)濾器→EDI系統→EDI水箱→拋光混床→用水點(diǎn)（≥18.2MΩ.CM）
設備性能：
1.預處理系統是采用目前技術(shù)的裝置，它的凈水效果顯著(zhù)?？梢匀コ械牡募毦?、泥沙、膠體、懸浮物、異味等雜質(zhì)。如果水中的硬度較高時(shí)，則還會(huì )降低水中的硬度。
2.反滲透技術(shù)主要由高壓泵、膜克、還有進(jìn)口反滲透膜的組件、儀表、控制電氣等組成。使其水中的電導率下降，電阻率提升。
3.后處理部分是對反滲透制取的純水做更進(jìn)一步的深化處理。使其出水的電阻率可以到18.2兆歐，從而使生產(chǎn)出來(lái)的水達到最佳的晶片清洗標準。
4.超純水設備的脫鹽核心部件為進(jìn)口的反滲透膜組件，超純水設備一般都是有預處理裝置、反滲透技術(shù)、后處理由拋光混床、EDI系統部分共同組成，使其凈水的效果顯著(zhù)。
經(jīng)過(guò)這幾部分處理之后的水能夠滿(mǎn)足于單晶硅清洗用超純水用水要求，部分生產(chǎn)企業(yè)要求水中不能含有微生物、真菌等，所以會(huì )在后面加裝紫外燈殺菌裝置來(lái)確保水質(zhì)達到生產(chǎn)所需。
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