電子產(chǎn)品生產(chǎn)中純水系統應根據原水水質(zhì)和產(chǎn)品生產(chǎn)工藝對水質(zhì)的要求，結合系統規模、材料及設備供應等情況，通過(guò)技術(shù)經(jīng)濟比較來(lái)選擇。純水系統的原水水質(zhì)因各地區、城市的水源不同相差很大，有的城市以河水為水源，即使是河水，其河水的源頭和沿途流經(jīng)地區的地質(zhì)、地貌不同，水質(zhì)也是不同的;有的城市以井水為水源，井的深度不同、地域不 同、地質(zhì)構造不同均會(huì )千差萬(wàn)別;現在不少城市的水源包括河水、湖水、井水等，有的城市各個(gè)區、段供水水質(zhì)也不相同。

所以純水系統的選擇，根據原水水質(zhì)的不同，差異很大，是否選擇原水預處理，預處理設備的種類(lèi)、規模都與原水水質(zhì)有關(guān)。因此電子工廠(chǎng)潔凈廠(chǎng)房的純水系統的選擇應根據原水水質(zhì)和電子產(chǎn)品生產(chǎn)工藝對水質(zhì)的要求，結合純水系統的產(chǎn)水量以及當時(shí)、當地的純水設備、材料供應等情況，綜合進(jìn)行技術(shù)經(jīng)濟比較確定。

在超大規模集成電路的超純水水質(zhì)中，優(yōu)先關(guān)注的水質(zhì)指標為：電阻率、微粒、TOC(總有機硅)、硅、堿金屬、堿土金屬、重金屬、溶解氧等。水溶液之所以導電，是因為水中各種溶解鹽都是以離子態(tài)存在的，在集成電路芯片制造過(guò)程中，與硅片接觸的水所含離子越多，對產(chǎn)品良率影響就越大。 電阻率反映了超純水中離子的含量，超純水的電阻率越高，其純度也就越高。一般來(lái)講，在25℃時(shí)，理論純水的電阻率是18.25MΩ.cm。

微粒數也是衡量超純水純度的指標。在集成電路光刻工序的清洗用水中如果含有不純物質(zhì)或微粒，將導致柵氧化膜厚度不均，產(chǎn)品圖形發(fā)生缺陷，耐壓性能變壞，一般以圖形尺寸的1/10為粒徑的評價(jià)對象。超純水中的微量有機物會(huì )影響柵氧化膜的絕緣耐壓性能，堿金屬、堿土金屬、重金屬則使產(chǎn)品結晶不良，柵氧化膜的絕緣耐壓性能變壞，而超純 水中的溶解氧將促使硅片表面的氧化膜提前自然形成，有報道稱(chēng)甚至溶在水中的氮氣也對清洗效果帶來(lái)影響。在超純水中，細菌的影響與TOC、微?；鞠嗤?，主 要是因為在系統里的繁殖使它成為有機物和微粒的發(fā)源地。