電子半導體超凈高純(VLSD) 試劑是大規模集成電路(IC) 及高檔半導體器件制造過(guò)程的專(zhuān)用化學(xué)品，主要用于硅單晶片的清洗、光刻、腐蝕工序中，它的純度和潔凈度對集成電路的成品率、電性能、可靠性都有著(zhù)重要的影響。

隨著(zhù)IC集成度的不斷提高，對超凈高純試劑的質(zhì)量指標提出了更高要求。國際上半導體工業(yè)協(xié)會(huì )(Semiconductor Industry Association) 新近推出Semi C7 (適合0.8~1.2μm 工藝技術(shù)) 和Semi C8 (適合于0.2~0.6μm 工藝技術(shù)) 級別試劑質(zhì)量標準。

中國的超凈高純試劑有低塵高純級、MOS級、BV-I 級、BV-I級、BV-皿級(相當于Semi C7 質(zhì)量標準)。

水質(zhì)標準

1、ASTM-D5127-2007《美國電子學(xué)和半導體工業(yè)用超純水標準》

2、歐盟電子級超純水標準

3、中國電子工業(yè)國家標準GB/T11446.1-1997

技術(shù)要求

半導體芯片用水主要在于前端晶棒硅切片冷卻用水，基板晶圓片檢測清洗用水，中段晶圓片濺鍍、曝光、電鍍、光刻、腐蝕等工藝清洗，后段檢測封裝清洗。LED芯片主要是前段在MOCVD外延片生長(cháng)用水，中段主要在曝光、顯影、去光阻清洗用水，后段檢測封裝用水。同時(shí)，半導體行業(yè)對TOC的要求較高。